Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страница 1097 (Mi phts6665)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Analysis of the temperature dependence of diode ideality factor in InGaN-based UV-a light-emitting diode

P. Dalapati, N. B. Manik, A. N. Basu

Condensed Matter Physics Research Centre, Department of Physics, Jadavpur University, Kolkata, 700032 India
PDF полного текста (26 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: The temperature dependence of diode ideality factor in InGaN-based UV-A light-emitting diode has been investigated using the current–voltage characteristics at different temperatures. The obtained values of diode ideality factor are found to increase from 2.252 to 7.79 due to cooling down the device from 350 to 77 K. The evaluated values of diode ideality factors (even at high temperature) are greater than the expected values lying between unity to two. An attempt has been made to elucidate such greater value of diode ideality factor by existing theories as well as its effect on the diode characteristics.
Ключевые слова: InGaN UV LED, diode ideality factor, tunnelling current, current crowding effect.
Поступила в редакцию: 18.05.2020
Исправленный вариант: 18.05.2020
Принята в печать: 09.06.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1284–1289
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262010005X
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: P. Dalapati, N. B. Manik, A. N. Basu, “Analysis of the temperature dependence of diode ideality factor in InGaN-based UV-a light-emitting diode”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1097; Semiconductors, 54:10 (2020), 1284–1289
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DalManBas20}
\by P.~Dalapati, N.~B.~Manik, A.~N.~Basu
\paper Analysis of the temperature dependence of diode ideality factor in InGaN-based UV-a light-emitting diode
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1097
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6665}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1284--1289
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262010005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6665
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1097
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025