Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страница 1034 (Mi phts6664)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Growth of ZnO nanostructures by wet oxidation of Zn thin film deposited on heat-resistant flexible substrates at low temperature

O. F. Farhata, M. Hushamb, M. Bououdinac

a Physics Department, Faculty of Sciences, Al-Asmarya Islamic University-Zliten, Libya
b Physics Department, Faculty of Education, Tishk International University (TIU), Erbil, KRG, Iraq
c Department of Physics, College of Science, University of Bahrain, PO Box 32038, Kingdom of Bahrain
Аннотация: Coral-like ZnO nanostructures were successfully grown onto heat-resistant flexible substrates by the oxidation of Zn thin films. At a relatively low temperature (100$^\circ$C), Zn thin film was oxidized using a horizontal furnace under the flow of water vapour. The obtained results revealed well-defined aggregates of ZnO nanostructures grown on the flexible films. XRD patterns exhibited a strong and sharp diffraction along the (002) plane suggesting a well-crystallized ZnO phase. Field emission scanning electron microscopy observations showed high-density ZnO nanostructures aggregated in coral-like shape. The present study introduced a cost-effective and simple approach to grow high-quality ZnO nanostructures with controlled shape and size, offering a promising candidate for nano-based devices such as fast-response photodiodes and gas sensors.
Ключевые слова: ZnO, nanostructures, low temperature, wet oxidation.
Поступила в редакцию: 20.03.2020
Исправленный вариант: 20.03.2020
Принята в печать: 27.05.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1220–1223
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100103
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: O. F. Farhat, M. Husham, M. Bououdina, “Growth of ZnO nanostructures by wet oxidation of Zn thin film deposited on heat-resistant flexible substrates at low temperature”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1034; Semiconductors, 54:10 (2020), 1220–1223
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FarHusBou20}
\by O.~F.~Farhat, M.~Husham, M.~Bououdina
\paper Growth of ZnO nanostructures by wet oxidation of Zn thin film deposited on heat-resistant flexible substrates at low temperature
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1034
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6664}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1220--1223
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100103}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6664
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1034
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024