Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страница 1003 (Mi phts6663)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Elastic and thermal properties of orthorhombic and tetragonal phases of Cu$_2$ZnSiSe$_4$ by first principles calculations

Y. Gao, W. Guan, Y. Dong

Xinyang College, School of Science and Technology, Xinyang 464000, P.R.China
Аннотация: In this paper, based on density functional theory (DFT), the structural, elastic and thermal properties of different structures of the quaternary compound Cu$_2$ZnSiSe$_4 $ were studied theoretically. The structural parameters are found to be in good agreement with experimental results. The independent elastic constants are calculated and analyzed, the results show that the structures have mechanical stability. The bulk modulus, Poisson’s ratio, and universal anisotropy index of Cu$_2$ZnSiSe$_4$ are obtained in detail. In order to accurately describe the thermodynamic properties of Cu$_2$ZnSiSe$_4$, the parameters of Debye temperature, thermal expansion coefficient, heat capacity $C_v$ and $C_p$ were analyzed under different pressures and temperatures.
Ключевые слова: Cu$_2$ZnSiSe$_4$, density function theory, elastic, thermal.
Финансовая поддержка Номер гранта
XinYang College 2019ZJG04
Henan Education Science 2019-JKGHYB-0315
This study was supported by Key research projects of educational reform of XinYang College (grant no. 2019ZJG04), and the general project of the 13th five year plan of Henan Education Science (grant no. 2019-JKGHYB-0315).
Поступила в редакцию: 13.06.2019
Исправленный вариант: 11.11.2019
Принята в печать: 11.05.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1185–1190
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100115
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Y. Gao, W. Guan, Y. Dong, “Elastic and thermal properties of orthorhombic and tetragonal phases of Cu$_2$ZnSiSe$_4$ by first principles calculations”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1003; Semiconductors, 54:10 (2020), 1185–1190
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GaoGuaDon20}
\by Y.~Gao, W.~Guan, Y.~Dong
\paper Elastic and thermal properties of orthorhombic and tetragonal phases of Cu$_2$ZnSiSe$_4$ by first principles calculations
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1003
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6663}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1185--1190
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100115}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6663
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1003
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024