Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страница 779 (Mi phts6657)  

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

The effect of the crystalline structure transformation in VO$_2$/glass by inserting TiO$_2$ buffer layer and its application in smart windows

C. Liu, S. Wang, R. Li, J. Liu, M. Huang

Key Lab of Informational Opto-Electronical Materials and Apparatus, School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng, 475004, China
Аннотация: Vanadium dioxide (VO$_2$) undergoes a reversible metal–insulator transition at low temperature, which has wide range of applications in smart windows and infrared detectors. However, the preparation of VO$_2$ films with controllable phase on glass substrate is still limited. In this paper, it is shown that $B$-phase can be transformed into $M$-phase with monoclinic structure by inserting TiO$_2$ buffer layer on glass substrate at low temperature of 400$^\circ$ C. This crystalline transformation might be attributed to that Ti atoms diffuse and form oxygen deficient environments. Different thicknesses of buffer layers have different effect on characteristic of VO$_2$ film. With 50 nm TiO$_2$ buffer layer, the VO$_2$/TiO$_2$/glass film showed an abrupt resistance change with more than 2.5-order of magnitude across metal–insulator transition, and the visible-light transmittance value is as high as 55.5% with the solar modulation capability up to 8.6%. The current results are very important for the application in smart windows.
Ключевые слова: vanadium dioxide, TiO$_2$ buffer layer, metal–insulator transition, solar modulation capability.
Финансовая поддержка Номер гранта
Science and Technology Development Project of Henan Province 182102210028
This work was sponsored by the Science and Technology Development Project of Henan Province (182102210028).
Поступила в редакцию: 08.04.2020
Исправленный вариант: 15.04.2020
Принята в печать: 15.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 929–935
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262008014X
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: C. Liu, S. Wang, R. Li, J. Liu, M. Huang, “The effect of the crystalline structure transformation in VO$_2$/glass by inserting TiO$_2$ buffer layer and its application in smart windows”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 779; Semiconductors, 54:8 (2020), 929–935
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LiuWanLi20}
\by C.~Liu, S.~Wang, R.~Li, J.~Liu, M.~Huang
\paper The effect of the crystalline structure transformation in VO$_2$/glass by inserting TiO$_2$ buffer layer and its application in smart windows
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 779
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6657}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 929--935
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262008014X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6657
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p779
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024