Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страница 707 (Mi phts6654)  

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Effect of oxygen flow rate in zinc oxide radio frequency magnetron sputtering on the structural and optical properties of ZnO/PEDOT : PSS inorganic|organic hetero-junction

B. Boroomand Nasab, A. Kosarian, N. Alaei Sheini

Department of Electronic and Electrical Engineering, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran
Аннотация: Highly transparent ZnO/PEDOT : PSS inorganic|organic hetero-junction were fabricated using thin (300 nm in thickness) ZnO prepared via radio frequency (RF) magnetron sputtering at different oxygen flow rates ranging from 0 to 20 sccm. The AFM images revealed that the average grain size decreased with increasing oxygen flow rate. In addition, the results of this analysis showed that with an increase in the oxygen flow rate, the average and RMS of surface roughness decreased. The energy gap measured for the zinc oxide layers deposited in the presence of oxygen with flow rates of 0, 5, 10, 15, and 20 sccm remained nearly constant at the value of 3.17 $\pm$ 0.01 eV indicating that the energy gap of ZnO layer was relatively independent of the Ar/O$_2$ flow rate. In order to investigate the junction between zinc oxide and poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT : PSS), a 50-nm thick polymeric layer is deposited on a 300-nm zinc oxide layer by spin coating technique. The dark I(V ) characteristics indicate that the reverse saturation current density is 2.89 $\cdot$ 10$^{-7}$, 1.27 $\cdot$ 10$^{-7}$, 1.96 $\cdot$ 10$^{-7}$, 3.89 $\cdot$ 10$^{-7}$, and 4.41 $\cdot$ 10$^{-7}$ A/cm$^2$ for oxygen flow rates of 0, 5, 10, 15, and 20 sccm, respectively. By increasing the oxygen flow rate, the ideality factor of the resulting Schottky barrier is 2.79, 1.96, 2.32, 2.96, and 3.03. The effective Schottky barrier height of 0.78, 0.8, 0.79, 0.77, and 0.76 eV was obtained for oxygen flow rates of 0, 5, 10, 15, and 20 sccm, respectively. It was found that the highest responsivity and the sensitivity obtained from UV-photocurrent of the nanostructures is for the samples deposited at oxygen flow rates between 5 to 10 sccm.
Ключевые слова: hetero-junction, oxygen, PEDOT:PSS, zinc oxide, Schottky barrier.
Поступила в редакцию: 30.09.2019
Исправленный вариант: 08.04.2020
Принята в печать: 10.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 844–852
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080151
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: B. Boroomand Nasab, A. Kosarian, N. Alaei Sheini, “Effect of oxygen flow rate in zinc oxide radio frequency magnetron sputtering on the structural and optical properties of ZnO/PEDOT : PSS inorganic|organic hetero-junction”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 707; Semiconductors, 54:8 (2020), 844–852
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NasKosShe20}
\by B.~Boroomand~Nasab, A.~Kosarian, N.~Alaei~Sheini
\paper Effect of oxygen flow rate in zinc oxide radio frequency magnetron sputtering on the structural and optical properties of ZnO/PEDOT : PSS inorganic|organic hetero-junction
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 707
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6654}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 844--852
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080151}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6654
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p707
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024