Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страница 706 (Mi phts6653)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

A comparative study on CdS film formation under variable and steady bath-temperature conditions

R.K.K.G.R.G Kumarasingheab, W. G. C. Kumaragec, R. P. Wijesunderad, N. Kaure, E. Cominie, B. S. Dassanayakeab

a Postgraduate Institute of Science, University of Peradeniya, Peradeniya, Sri Lanka
b Department of Physics, University of Peradeniya, Peradeniya, Sri Lanka
c Research and International Affairs, Sri Lanka Technological Campus, Padukka, Sri Lanka
d Department of Physics, Faculty of Science, University of Kelaniya, Kelaniya, Sri Lanka
e Department of Information Engineering, Universitá Degli Studi Di Brescia, Brescia, Italy
PDF полного текста (30 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: The deposition temperature of the bath in chemical-bath-deposited cadmium-sulfide thin films can directly affect the optical, electrical, structural as well as morphological properties of deposited thin films. The reporting work discusses the properties of chemical-bath-deposited cadmium-sulfide thin films deposited under steady chemical- bath temperature conditions at both 40 and 80$^\circ$C and compares with films formed under variable bath-temperature conditions by varying the temperature of the chemical bath from 40 to 80$^\circ$C and 80 to 40$^\circ$ C while depositing. The optical, electrical, structural, and morphological properties of the deposited films were examined by using ultraviolet-visible spectroscopy, photo-electrochemical cell, Mott–Schottky measurements, grazing incident X-ray diffractograms, scanning electron microscopy, and profilometry. According to the results, films deposited under steady chemical-bath temperature conditions show better optoelectronic properties compared to the rest, while films fabricated at 40$^\circ$ C are the best.
Ключевые слова: CBD, CdS, bath temperature, variable bath temperature, steady bath temperature.
Поступила в редакцию: 16.10.2019
Исправленный вариант: 16.12.2019
Принята в печать: 18.02.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 838–843
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080126
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: R.K.K.G.R.G Kumarasinghe, W. G. C. Kumarage, R. P. Wijesundera, N. Kaur, E. Comini, B. S. Dassanayake, “A comparative study on CdS film formation under variable and steady bath-temperature conditions”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 706; Semiconductors, 54:8 (2020), 838–843
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KumKumWij20}
\by R.K.K.G.R.G Kumarasinghe, W.~G.~C.~Kumarage, R.~P.~Wijesundera, N.~Kaur, E.~Comini, B.~S.~Dassanayake
\paper A comparative study on CdS film formation under variable and steady bath-temperature conditions
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 706
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6653}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 838--843
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080126}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6653
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p706
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024