Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страница 460 (Mi phts6644)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Effects of 1-MeV electron irradiation on the photoluminescence of GaInNAs|GaAs single quantum well structure

M. Sailaia, A. Aierkena, L. Qiqia, M. Heinia, X. Zhaoa, J. Mob, G. Jieb, R. Haob, Z. Yub, G. Qia

a Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, P. R. China
b School of Energy and Environment, Yunnan Normal University, Kunming, P. R. China
PDF полного текста (31 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Minimizing the impact of radiation-induced degradation in dilute nitride based optoelectronic devices is crucial in its applications. The effects of 1-MeV electron irradiation (of 1 $\cdot$ 10$^{14}$–1 $\cdot$ 10$^{16}$ e/cm$^2$ range) on undoped GaInNAs|GaAs single quantum-well (QW) structure has been studied by low-temperature photoluminescence (PL). PL spectra of GaInNAs|GaAs QW are measured before and after electron irradiation. The results show a slight enhancement of the PL intensity in relatively low electron fluence, and then subsequent deterioration of PL with the increase of cumulative electron fluences. The enhancement in PL intensity at low electron doses is explained by recombination-enhanced defect reaction model, and the degradation at high electron doses is explained by irradiation-induced defects in the lattice.
Ключевые слова: dilute nitride, quantum well, electron irradiation, PL, defect.
Финансовая поддержка Номер гранта
Natural Science Foundation of China 61534008
Director Foundation of Xinjiang Technical Institute of Phys. and Chem. CAS Y52H121101
National Natural Science Foundation of China 61774130
11474248
PhD Programs Foundation of Ministry of Education of China 20105303120002
West Light Foundation of the Chinese Academy of Sciences 2017-XBQNXZ-B-004
Opening Project of Science and Technology on Reliability Physics and Application Technology of Electronic Component Laboratory ZHD201705
This work was supported by a key project of Natural Science Foundation of China (grant no. 61534008), Director Foundation of Xinjiang Technical Institute of Phys. and Chem. CAS (no. Y52H121101), National Natural Science Foundation of China (grant nos. 61774130, 11474248), PhD Programs Foundation of Ministry of Education of China (no. 20105303120002), West Light Foundation of The Chinese Academy of Sciences (grant no. 2017-XBQNXZ-B-004), and The Opening Project of Science and Technology on Reliability Physics and Application Technology of Electronic Component Laboratory (grant no. ZHD201705).
Поступила в редакцию: 06.12.2019
Исправленный вариант: 30.12.2019
Принята в печать: 05.01.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 5, Pages 554–557
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620050103
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: M. Sailai, A. Aierken, L. Qiqi, M. Heini, X. Zhao, J. Mo, G. Jie, R. Hao, Z. Yu, G. Qi, “Effects of 1-MeV electron irradiation on the photoluminescence of GaInNAs|GaAs single quantum well structure”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 460; Semiconductors, 54:5 (2020), 554–557
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SaiAieQiq20}
\by M.~Sailai, A.~Aierken, L.~Qiqi, M.~Heini, X.~Zhao, J.~Mo, G.~Jie, R.~Hao, Z.~Yu, G.~Qi
\paper Effects of 1-MeV electron irradiation on the photoluminescence of GaInNAs|GaAs single quantum well structure
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 460
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6644}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 554--557
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620050103}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6644
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i5/p460
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024