Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страница 245 (Mi phts6638)  

Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Effective mass model supported band gap variation in cobalt-doped ZnO nanoparticles obtained by co-precipitation

K. P. Misraa, S. Jaina, A. Agarwalab, N. Haldera, S. Chattopadhyaya

a Department of Physics, School of Basic Sciences, Manipal University Jaipur
b Department of Chemistry, School of Basic Sciences, Manipal University Jaipur
Аннотация: Zn$_{1-x}$ Co$_x$ O ($x$ = 0.0, 0.01, 0.03, 0.05) nanoparticles were synthesized using co-precipitation method. Shift in peaks of XRD patterns for 2$\theta$ values has been observed. The changes in 2$\theta$ value for different peaks for different samples are studied systematically. Dislocation densities $(\delta)$ for the samples are calculated and correlated with observed shift in 2$\theta$ values for all the samples. UV-Vis study has been performed to understand the effect of cobalt doping on optical band gap. The band gap shows a cubic variation with dopant concentration $(x)$. The nature of band gap variation has been explained and supported by effective mass model. Samples are also characterized by SEM and EDX to understand the surface morphology and elemental composition.
Ключевые слова: ZnO, band gap, effective mass model, nanoparticle, dislocation density, co-precipitation.
Поступила в редакцию: 01.06.2019
Исправленный вариант: 26.07.2019
Принята в печать: 18.10.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 311–316
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620030136
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: K. P. Misra, S. Jain, A. Agarwala, N. Halder, S. Chattopadhyay, “Effective mass model supported band gap variation in cobalt-doped ZnO nanoparticles obtained by co-precipitation”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 245; Semiconductors, 54:3 (2020), 311–316
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MisJaiAga20}
\by K.~P.~Misra, S.~Jain, A.~Agarwala, N.~Halder, S.~Chattopadhyay
\paper Effective mass model supported band gap variation in cobalt-doped ZnO nanoparticles obtained by co-precipitation
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 245
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6638}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 311--316
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030136}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6638
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p245
  • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024