Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страница 819 (Mi phts6625)  

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Fabrication of Cu$_2$ZnSnSe$_4$ thin films by selenising Cu$_{1.8}$Se, SnSe, and ZnSe precursor layers: effects of the sequence of layers

L. N. Maskaevaab, V. F. Markovab, E. A. Grachevaa, V. I. Voroninc, N. S. Kozhevnikovad, R. W. Martine, M. V. Yakushevacde, M. V. Kuznetsovd

a Ural Federal University, 19 Mira St., 620002 Ekaterinburg, Russia
b Ural Institute of State Fire Service, 22 Mira St., 620062 Ekaterinburg, Russia
c Miheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch Russian Academy of Sciences, 18 S. Kovalevskoy St., 620108, Ekaterinburg, Russia
d Institute of Solid State Chemistry of the Ural Branch Russian Academy of Sciences, 91 Pervomaiskaya St., 620990 Ekaterinburg, Russia
e Department of Physics, SUPA, University of Strathclyde, 107 Rottenrow, G4 0NG Glasgow, UK
Аннотация: Thin films of Cu$_2$ZnSnSe$_4$ (CZTSe) with a deficiency of Cu and Zn excess are fabricated by a selenisation of precursors composed of several layers of the selenides Cu$_{1.8}$Se, SnSe, and ZnSe (with different sequences of the layers), deposited on glass substrates from water-based solutions. The elemental composition of the films is examined by electron dispersive analysis and X-ray photoelectron spectroscopy whereas the structure is analysed by X-ray diffraction. Films fabricated from precursors with the selenide layer sequence Cu$_{1.8}$Se|SnSe|ZnSe|SnSe demonstrate the CZTSe kesterite structure, whereas those produced from precursors with other sequences of the selenides are mixtures of binary phases.
Ключевые слова: CZTSe, chemical bath deposition, structure, thin films, absorber.
Поступила в редакцию: 05.04.2021
Исправленный вариант: 05.04.2021
Принята в печать: 06.05.2021
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: L. N. Maskaeva, V. F. Markov, E. A. Gracheva, V. I. Voronin, N. S. Kozhevnikova, R. W. Martin, M. V. Yakushev, M. V. Kuznetsov, “Fabrication of Cu$_2$ZnSnSe$_4$ thin films by selenising Cu$_{1.8}$Se, SnSe, and ZnSe precursor layers: effects of the sequence of layers”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 819
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasMarGra21}
\by L.~N.~Maskaeva, V.~F.~Markov, E.~A.~Gracheva, V.~I.~Voronin, N.~S.~Kozhevnikova, R.~W.~Martin, M.~V.~Yakushev, M.~V.~Kuznetsov
\paper Fabrication of Cu$_2$ZnSnSe$_4$ thin films by selenising Cu$_{1.8}$Se, SnSe, and ZnSe precursor layers: effects of the sequence of layers
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 819
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6625}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6625
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p819
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024