Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8, страница 688 (Mi phts6623)  

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Two-dimensional electron hole system under the influence of the Chern–Simons gauge field created by the quantum point vortices

S. A. Moskalenkoa, V. A. Moskalenkoa, I. V. Podlesnya, M. A. Libermanb

a Institute of Applied Physics, 5, Academiei str., MD-2028 Chisinau, Republic of Moldova
b Nordic Institute for Theoretical Physics (NORDITA) KTH and Stockholm University, Roslagstullsbacken 23, Stockholm, SE-106 91 Sweden
Аннотация: The Chern–Simons (CS) gauge field theory was widely used to explain and to deeper understand the fractional quantum Hall effects. In this work, we apply the Chern. Simons gauge field theory to a two-dimensional (2D) electron–hole (e–h) system in a strong perpendicular magnetic field under the influence of the quantum point vortices creating by the Chern–Simons (CS) gauge field. The composite electron–hole particles with equal integer positive numbers $\phi$ of the attached quantum point vortices are described by the dressed field operators that obey to either the Fermi or Bose statistics depending on the even or odd numbers $\phi$. It is shown that the phase operators, as well as the vector and scalar potentials of the CS gauge field, depend on the difference between the electron and the hole density operators. They vanish in the mean field approximation, when the average values of the electron and of the hole densities coincide. Nevertheless, even in this case, quantum fluctuations of the CS gauge field lead to new properties of the 2D e–h system. It is found that the numbers of vortices attached to each electron and hole are the same. This result is not obvious, and a different distribution of vortices in the environment of electron–hole pairs could be expected. A simple analytical formula is obtained for the shift of the magnetoexciton energy level at the point $\vec{k}$ = 0 due to the influence of the CS gauge field.
Ключевые слова: excitons, magnetoexcitons, Chern–Simons theory, quantum Hall effect.
Поступила в редакцию: 09.01.2021
Исправленный вариант: 21.01.2021
Принята в печать: 21.01.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Pages S35–S48
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621080145
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: S. A. Moskalenko, V. A. Moskalenko, I. V. Podlesny, M. A. Liberman, “Two-dimensional electron hole system under the influence of the Chern–Simons gauge field created by the quantum point vortices”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 688; Semiconductors, 55 (2021), S35–S48
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MosMosPod21}
\by S.~A.~Moskalenko, V.~A.~Moskalenko, I.~V.~Podlesny, M.~A.~Liberman
\paper Two-dimensional electron hole system under the influence of the Chern--Simons gauge field created by the quantum point vortices
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 688
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6623}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\pages S35--S48
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621080145}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6623
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i8/p688
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024