Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8, страница 680 (Mi phts6621)  

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Effect of complexing agents on structural, morphological, and optical properties of chemically deposited ZnO thin films

A. Raidou

Materials and Subatomic Physics Laboratory, Department of Physics, Faculty of Sciences, Ibn Tofail University, B.P 133, 14000 Kénitra, Morocco
Аннотация: Two ZnO thin films have been chemically elaborated on glass substrates by successive ionic layer adsorption and reaction method using two different complexing agents, ammonia and ammonium hydroxide. X-ray diffraction study confirmed the hexagonal wurtzite structure for both films that are polycrystalline with preferential direction (002). Scanning electron microscopy showed an agglomeration of small grains throughout the substrate surfaces, with morphological changes and the existence of an uncovered part of substrates. The film prepared using NH$_4$OH showed a higher transmittance. The optical band gap values for the films are close to 3.36 and 3.33 eV, respectively.
Ключевые слова: thin films, ZnO, complexing agents, SILAR method, semiconductors.
Поступила в редакцию: 22.08.2020
Исправленный вариант: 22.08.2020
Принята в печать: 09.02.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 8, Pages 691–695
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621080157
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. Raidou, “Effect of complexing agents on structural, morphological, and optical properties of chemically deposited ZnO thin films”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 680; Semiconductors, 55:8 (2021), 691–695
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Rai21}
\by A.~Raidou
\paper Effect of complexing agents on structural, morphological, and optical properties of chemically deposited ZnO thin films
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 680
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6621}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 691--695
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621080157}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6621
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i8/p680
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024