Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страница 585 (Mi phts6618)  

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Structural and electronic properties of rippled graphene with different orientations of Stone–Wales defects: first-principles study

J. A. Tallaa, E. A. Almahmoudb, K. Al-Khaza'leha, H. Abu-Farsakhc

a Department of Physics, Al al-Bayt University, Al-Mafraq-130040, Jordan
b Department of Physical Sciences, Jordan University of Science and Technology, P.O. Box 3030, Irbid-22110, Jordan
c Department of General Sciences, Prince Sultan University, Riyadh-11586, Saudi Arabia
Аннотация: In this work, we used density functional theory to investigate the structural and electronic properties of rippled pristine graphene and graphene with two orientations of Stone–Wales defects. The formation of periodic ripples was induced by applying uni-axial strain on graphene sheets. The creation of pentagonal and heptagonal rings in the graphitic backbone has resulted in a dramatic modification on electronic properties at the atomic level as a consequence of modifying bond lengths. Moreover, ripples start to show up in graphene with different types of Stone–Wales defects when the strain exceeds 4%. Equally important, the strain may be used to tune the graphene wrinkling as well as graphene electronic properties. Besides, ripples induced by mechanical strain have a great impact on the electronic properties of pristine graphene and graphene with different orientations of Stone–Wales defects. This novel observation might be used to control not only graphene’s electronic properties but also graphene structural functionality.
Ключевые слова: graphene, Stone–Wales defects, uni-axial strain, rippling, electronic properties, density functional theory.
Поступила в редакцию: 02.01.2021
Исправленный вариант: 02.01.2021
Принята в печать: 04.03.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 8, Pages 643–653
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621070198
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: J. A. Talla, E. A. Almahmoud, K. Al-Khaza'leh, H. Abu-Farsakh, “Structural and electronic properties of rippled graphene with different orientations of Stone–Wales defects: first-principles study”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 585; Semiconductors, 55:8 (2021), 643–653
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TalAlmAl-21}
\by J.~A.~Talla, E.~A.~Almahmoud, K.~Al-Khaza'leh, H.~Abu-Farsakh
\paper Structural and electronic properties of rippled graphene with different orientations of Stone--Wales defects: first-principles study
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 585
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6618}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 643--653
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621070198}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6618
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i7/p585
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024