Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страница 565 (Mi phts6616)  

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Influence of annealing condition on ultrasonically sprayed ZnS thin films

Y. S. Ocakab

a Smart-Laboratory, Dicle University, Diyarbakir, Turkey
b Department of Science, Faculty of Education, Dicle University, Diyarbakir, Turkey
Аннотация: ZnS thin films were grown by ultrasonic spray pyrolysis (USP) technique on soda–lime glass substrates at different annealing conditions such as temperature ambience. Structural, morphological, and optical properties of these films were characterized by using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and ultraviolet-visible (UV-Vis) spectrophotometry, respectively. Structural parameters such as strain $\varepsilon$, crystalline size $D$, and dislocation density $\delta$ for all thin films were calculated using XRD analysis. The XRD pattern of ZnS films annealed in N$_2$ ambient at 550$^\circ$ C indicated a nearly amorphous structure. The film, annealed at 500 and 550$^\circ$C in H$_2$S : Ar ambient, suggests the presence of four peaks at 26.73, 28.26, 47.35, and 56.14 deg due to (100), (002), (110), and (112) planes of wurtzite ZnS, respectively. SEM images of ZnS in N$_2$ ambient seem to be homogenously dispersed while ZnS thin films annealed at 500 and 550$^\circ$C in H$_2$S : Ar (1 : 9) consist of homogenously nano-sized grains. UV-Vis spectroscopy measurements indicate that the transmittance and energy band gap of ZnS thin films annealed at different ambient are changed due to the different crystallinity and the roughness. The energy band gap of the ZnS with various ambient found to be 3.64, 3.55, and 3.63 eV for H$_2$S : Ar at 500$^\circ$C, H$_2$S : Ar at 550$^\circ$C, and N$_2$ at 500$^\circ$ C, respectively.
Ключевые слова: ZnS, ultrasonic spray pyrolysis, annealing.
Поступила в редакцию: 01.02.2021
Исправленный вариант: 01.02.2021
Принята в печать: 10.03.2021
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Y. S. Ocak, “Influence of annealing condition on ultrasonically sprayed ZnS thin films”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 565
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Oca21}
\by Y.~S.~Ocak
\paper Influence of annealing condition on ultrasonically sprayed ZnS thin films
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 565
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6616}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6616
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i7/p565
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024