Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страница 541 (Mi phts6614)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Electron mobility in bulk $n$-doped SiC-polytypes 3C-SiC, 4H-SiC and 6H-SiC: a comparison

Cloves G. Rodrigues

School of Exact Sciences and Computing, Pontifical Catholic University of Goiás, CP 86, 74605-010 Goiânia, Goiás, Brazil
Аннотация: This communication presents a comparative study on the charge transport (in transient and steady state) in bulk $n$-type doped SiC-polytypes: 3C-SiC, 4H-SiC and 6H-SiC. The time evolution of the basic macrovariables: the “electron drift velocity” and the “non-equilibrium temperature” are obtained theoretically by using a Non-Equilibrium Quantum Kinetic Theory, derived from the method of Nonequilibrium Statistical Operator (NSO). The dependence on the intensity and orientation of the applied electric field of this macrovariables and mobility are derived and analyzed. From the results obtained in this paper, the most attractive of these semiconductors for applications requiring greater electronic mobility is the polytype 4H-SiC with the electric field applied perpendicular to the $c$-axis.
Ключевые слова: SiC, 4H-SiC, 6H-SiC, 3C-SiC, charge transport.
Поступила в редакцию: 01.07.2020
Исправленный вариант: 01.07.2020
Принята в печать: 08.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 7, Pages 625–632
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621070150
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Cloves G. Rodrigues, “Electron mobility in bulk $n$-doped SiC-polytypes 3C-SiC, 4H-SiC and 6H-SiC: a comparison”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 541; Semiconductors, 55:7 (2021), 625–632
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Rod21}
\by Cloves~G.~Rodrigues
\paper Electron mobility in bulk $n$-doped SiC-polytypes 3C-SiC, 4H-SiC and 6H-SiC: a comparison
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 541
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6614}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 625--632
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621070150}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6614
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i7/p541
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024