Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 1, страница 84 (Mi phts6589)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Effect of total ionizing dose damage on 8-transistor CMOS star sensor performance

J. Fengab, Y.-D. Liabc, J. Fucab, L. Wenabc, C.-F. Heabc, Q. Guoabc

a Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Urumqi 830011, China
b Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device, Urumqi 830011, China
c University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China
PDF полного текста (28 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: The effects of total ionizing dose (TID) radiation from $^{60}$Co gamma-rays on an 8-transistor global shutter exposure complementary metal-oxide semiconductor image sensor (CIS) within a star sensor is presented to analyze the sources of star sensor performance degradation and the decrease of attitude measurement accuracy. The dark current, dark signal non-uniformity, and photon response non-uniformity versus the TID are investigated. The signal-to-noise ratio, star diagonal distance accuracy, and star point centroid positioning accuracy of the star sensor versus the TID are also analyzed. By establishing the correlation between space radiation, CIS noise, and star sensor performance parameters, the transfer mechanism of CIS parameter degradation to star sensor parameter degradation is revealed.
Ключевые слова: star sensor, 8-transistor CIS, total ionizing dose effect, performance degradation.
Финансовая поддержка Номер гранта
National Natural Science Foundation of China 11805269
West Light Foundation of the Chinese Academy of Sciences 2016-QNXZ-B-2
High level talent introduction project of the Autonomous Region [2017] 699
The work was supported by the National Natural Science Foundation of China under grant no. 11805269, the West Light Foundation of the Chinese Academy of Sciences under grant no. 2016-QNXZ-B-2 and High level talent introduction project of the Autonomous Region under grant no. [2017] 699.
Поступила в редакцию: 28.07.2020
Исправленный вариант: 28.07.2020
Принята в печать: 01.09.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 1, Pages 108–115
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621010073
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: J. Feng, Y.-D. Li, J. Fu, L. Wen, C.-F. He, Q. Guo, “Effect of total ionizing dose damage on 8-transistor CMOS star sensor performance”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 84; Semiconductors, 55:1 (2021), 108–115
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FenLiFu21}
\by J.~Feng, Y.-D.~Li, J.~Fu, L.~Wen, C.-F.~He, Q.~Guo
\paper Effect of total ionizing dose damage on 8-transistor CMOS star sensor performance
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 1
\pages 84
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6589}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 1
\pages 108--115
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621010073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6589
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i1/p84
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024