Вольт-амперная характеристика мощных диодных структур с резкой асимметрией инжектирующей способности эмиттеров

Рассмотрены диодные структуры с сильной асимметрией инжектирующей способности эмиттеров. В рассматриваемых структурах отношение толщины базового слоя к амбиполярной диффузионной длине было $\sim$1. При большой плотности тока сильная асимметрия инжектирующей способности переходов приводит к реализации, наряду с обычно учитываемыми диффузионным и квазинейтральным дрейфовым режимами переноса носителей заряда, к возникновению и реализации недавно обнаруженного режима DSQD (диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом). В работе показано, что с ростом плотности тока область, в которой реализуется квазинейтральный дрейфовый режим переноса носителей заряда, схлопывается. При этом на вольт-амперной характеристике диода возникает $S$-образный участок даже при сравнительно небольших значениях отношения $W/L$ ($W$ – толщина базового слоя, $L$ – амбиполярная диффузионная длина).