|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC
С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, Б. Я. Бер, А. А. Анисимов, И. Д. Бреев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы причины, приводящие к появлению зеленой окраски кристаллов AlN, выращиваемых методом сублимации на затравках SiC. Методом вторичной ионной масс-спектроскопии показано, что цвет кристаллов слабо зависит от содержания кремния и углерода, а зеленая или темная окраска возникает только при повышенном содержании углерода по сравнению с кремнием. Методом комбинационного рассеяния света установлено присутствие в этих кристаллах отдельной фазы аморфного углерода. Выделение фазы углерода в процессе роста кристаллов затрудняет получение качественных кристаллов AlN, а также твердых растворов AlN-SiC. Анализируется влияние условий роста на оптические свойства кристаллов AlN.
Ключевые слова:
кристалл AlN, затравка SiC, зеленая или темная окраска, аморфный углерод.
Поступила в редакцию: 19.02.2021 Исправленный вариант: 25.02.2021 Принята в печать: 25.02.2021
Образец цитирования:
С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, Б. Я. Бер, А. А. Анисимов, И. Д. Бреев, “Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 513–517; Semiconductors, 55:6 (2021), 546–550
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6581 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i6/p513
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 67 | PDF полного текста: | 20 |
|