Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 6, страницы 513–517
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.06.50919.9635
(Mi phts6581)
 

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC

С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, Б. Я. Бер, А. А. Анисимов, И. Д. Бреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследованы причины, приводящие к появлению зеленой окраски кристаллов AlN, выращиваемых методом сублимации на затравках SiC. Методом вторичной ионной масс-спектроскопии показано, что цвет кристаллов слабо зависит от содержания кремния и углерода, а зеленая или темная окраска возникает только при повышенном содержании углерода по сравнению с кремнием. Методом комбинационного рассеяния света установлено присутствие в этих кристаллах отдельной фазы аморфного углерода. Выделение фазы углерода в процессе роста кристаллов затрудняет получение качественных кристаллов AlN, а также твердых растворов AlN-SiC. Анализируется влияние условий роста на оптические свойства кристаллов AlN.
Ключевые слова: кристалл AlN, затравка SiC, зеленая или темная окраска, аморфный углерод.
Поступила в редакцию: 19.02.2021
Исправленный вариант: 25.02.2021
Принята в печать: 25.02.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 6, Pages 546–550
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621060099
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, Б. Я. Бер, А. А. Анисимов, И. Д. Бреев, “Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 513–517; Semiconductors, 55:6 (2021), 546–550
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NagMokKaz21}
\by С.~С.~Нагалюк, Е.~Н.~Мохов, О.~П.~Казарова, Б.~Я.~Бер, А.~А.~Анисимов, И.~Д.~Бреев
\paper Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 6
\pages 513--517
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6581}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.06.50919.9635}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46490245}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 6
\pages 546--550
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621060099}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6581
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i6/p513
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024