Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 6, страницы 507–512
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.06.50918.9628
(Mi phts6580)
 

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Формирование нанокристаллов германия в пленках GeO[SiO$_{2}$] и GeO[SiO]

Zhang Fana, С. Г. Черковаb, В. А. Володинab

a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Пленки нестехиометрических германосиликатных стекол GeO$_{0.5}$[SiO$_{2}$]$_{0.5}$ и GeO$_{0.5}$[SiO]$_{0.5}$ получены соиспарением порошков GeO$_{2}$ и SiO$_{2}$, либо GeO$_{2}$ и SiO, соответственно, и напылением на холодные подложки Si(100) и плавленого кварца в высоком вакууме. Затем пленки подвергались печным отжигам при температуре до 900$^\circ$C. Наличие и фазовый состав нанокластеров германия в пленках были исследованы с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Трансформация после отжигов окружающей нанокластеры матрицы GeSi$_{x}$O$_{y}$ была исследована с применением фурье-инфракрасной спектроскопии. Как показал анализ спектров комбинационного рассеяния света, отжиг при температуре 800$^\circ$C привел к образованию нанокристаллов германия (НК-Ge), но содержание аморфной фазы германия составляло до половины объема. После отжига при температуре 900$^\circ$C аморфные нанокластеры практически полностью кристаллизовались. Размеры НК-Ge зависели от температуры отжигов, состава пленок и от подложки, при этом не наблюдалось формирования нанокристаллов Ge-Si.
Ключевые слова: нанокристаллы германия, германосиликатные стекла, кристаллизация.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исследования выполнены в рамках государственного задания ИФП СО РАН.
Поступила в редакцию: 05.02.2021
Исправленный вариант: 15.02.2021
Принята в печать: 15.02.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Zhang Fan, С. Г. Черкова, В. А. Володин, “Формирование нанокристаллов германия в пленках GeO[SiO$_{2}$] и GeO[SiO]”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 507–512
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FanCheVol21}
\by Zhang~Fan, С.~Г.~Черкова, В.~А.~Володин
\paper Формирование нанокристаллов германия в пленках GeO[SiO$_{2}$] и GeO[SiO]
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 6
\pages 507--512
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6580}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.06.50918.9628}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46490244}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6580
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i6/p507
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:43
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024