|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Формирование нанокристаллов германия в пленках GeO[SiO$_{2}$] и GeO[SiO]
Zhang Fana, С. Г. Черковаb, В. А. Володинab a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Пленки нестехиометрических германосиликатных стекол GeO$_{0.5}$[SiO$_{2}$]$_{0.5}$ и GeO$_{0.5}$[SiO]$_{0.5}$ получены соиспарением порошков GeO$_{2}$ и SiO$_{2}$, либо GeO$_{2}$ и SiO, соответственно, и напылением на холодные подложки Si(100) и плавленого кварца в высоком вакууме. Затем пленки подвергались печным отжигам при температуре до 900$^\circ$C. Наличие и фазовый состав нанокластеров германия в пленках были исследованы с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Трансформация после отжигов окружающей нанокластеры матрицы GeSi$_{x}$O$_{y}$ была исследована с применением фурье-инфракрасной спектроскопии. Как показал анализ спектров комбинационного рассеяния света, отжиг при температуре 800$^\circ$C привел к образованию нанокристаллов германия (НК-Ge), но содержание аморфной фазы германия составляло до половины объема. После отжига при температуре 900$^\circ$C аморфные нанокластеры практически полностью кристаллизовались. Размеры НК-Ge зависели от температуры отжигов, состава пленок и от подложки, при этом не наблюдалось формирования нанокристаллов Ge-Si.
Ключевые слова:
нанокристаллы германия, германосиликатные стекла, кристаллизация.
Поступила в редакцию: 05.02.2021 Исправленный вариант: 15.02.2021 Принята в печать: 15.02.2021
Образец цитирования:
Zhang Fan, С. Г. Черкова, В. А. Володин, “Формирование нанокристаллов германия в пленках GeO[SiO$_{2}$] и GeO[SiO]”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 507–512
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6580 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i6/p507
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 55 | PDF полного текста: | 43 |
|