Температурная зависимость проводимости нитевидных кристаллов теллура

В интервале температур 77–273 K проведен сравнительный анализ электропроводности нитевидного кристалла, эпитаксиальной пленки и монокристалла теллура. Электропроводность пленки и монокристалла растет монотонно в диапазоне 77–200 K, после чего начинается резкий рост, соответствующий термическому возбуждению собственных носителей заряда. Электропроводность нитевидных кристаллов теллура уменьшается в интервале температур 77–236 K, затем следует плавный ее рост. Предполагается, что в случае нитевидных кристаллов теллура имеет место классический размерный эффект: спад электропроводности обусловлен диффузным рассеянием носителей боковой поверхностью образца и его усилением с ростом температуры. Развитая поверхность боковых граней нитевидного кристалла подтверждается исследованием морфологии на растровом электронном микроскопе.