Характер взаимодействия в системе SnSb$_{2}$Te$_{4}$–SnBi$_{2}$Te$_{4}$ и термоэлектрические свойства твердых растворов (SnSb$_{2}$Te$_{4}$)$_{1-x}$(SnBi$_{2}$Te$_{4}$)$_{x}$

Впервые различными физико-химическими методами в широком интервале температур изучен характер взаимодействия компонентов по разрезу SnSb$_{2}$Te$_{4}$–SnBi$_{2}$Te$_{4}$ и построены диаграммы состояния. Установлено, что разрез является квазибинарным сечением квазитройной системы SnTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$–Bi$_{2}$Te$_{3}$. В разрезе имеется четверное соединение SnSbBiTe$_{4}$, плавящееся конгруэнтно при 900 K. Монокристаллы четверного соединения SnSbBiTe$_{4}$ получены методом химических транспортных реакций. Методом рентгенографического анализа определены параметры элементарной ячейки монокристаллов четверного соединения: $a$ = 4.356 $\mathring{\mathrm{A}}$, $c$ = 41.531 $\mathring{\mathrm{A}}$. Установлено, что соединение кристаллизуется в решетке тетрадимита ромбоэдрической сингонии, пр. гр. R$\bar3$m, заряд $z$ = 3, объем элементарной ячейки $V$ = 682.43 $\mathring{\mathrm{A}}^{3}$. Измерены термоэлектрические параметры (SnSb$_{2}$Te$_{4}$)$_{1-x}$(SnBi$_{2}$Te$_{4}$)$_{x}$ в интервале температур 300–600 K. При увеличении содержания SnBi$_{2}$Te$_{4}$ в твердых растворах увеличивается термоэлектрическая эффективность. Термоэлектрическая эффективность образца твердых растворов (SnSb$_{2}$Te$_{4}$)$_{1-x}$(SnBi$_{2}$Te$_{4}$)$_{x}$ с $x$ = 1.0 имеет максимальное значение $Z$ = 3.1$\cdot$10$^{-3}$ K$^{-1}$ при 300 K.