Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 112–119 (Mi phts6571)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS

Н. Е. Корсунская, Е. П. Шульга, Т. Р. Стара, П. М. Литвин, В. А. Бондаренко

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
Аннотация: Исследовано влияние ультрафиолетового излучения на электрические и спектральные характеристики фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS. Установлено, что облучение приводит к уменьшению их фоточувствительности, а также к изменению вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и рельефа поверхности запирающего электрода. Показано, что основной причиной уменьшения фоточувствительности диодов является фотостимулированный дрейф подвижных доноров в поле барьера, который зависит от кристаллографической ориентации облучаемой поверхности. Другим фотостимулированным процессом, наблюдавшимся в исследованных диодах, является фотолиз кристалла. Он определяет в основном изменение электрических характеристик диодов, а также рельефа поверхности электрода при незначительном изменении фоточувствительности.
Поступила в редакцию: 31.03.2015
Принята в печать: 09.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 112–119
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616010103
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Е. Корсунская, Е. П. Шульга, Т. Р. Стара, П. М. Литвин, В. А. Бондаренко, “Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 112–119; Semiconductors, 50:1 (2016), 112–119
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorShuSta16}
\by Н.~Е.~Корсунская, Е.~П.~Шульга, Т.~Р.~Стара, П.~М.~Литвин, В.~А.~Бондаренко
\paper Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 112--119
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6571}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668049}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 112--119
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616010103}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6571
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p112
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024