|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 112–119
(Mi phts6571)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS
Н. Е. Корсунская, Е. П. Шульга, Т. Р. Стара, П. М. Литвин, В. А. Бондаренко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
Аннотация:
Исследовано влияние ультрафиолетового излучения на электрические и спектральные характеристики фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS. Установлено, что облучение приводит к уменьшению их фоточувствительности, а также к изменению вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и рельефа поверхности запирающего электрода. Показано, что основной причиной уменьшения фоточувствительности диодов является фотостимулированный дрейф подвижных доноров в поле барьера, который зависит от кристаллографической ориентации облучаемой поверхности. Другим фотостимулированным процессом, наблюдавшимся в исследованных диодах, является фотолиз кристалла. Он определяет в основном изменение электрических характеристик диодов, а также рельефа поверхности электрода при незначительном изменении фоточувствительности.
Поступила в редакцию: 31.03.2015 Принята в печать: 09.04.2015
Образец цитирования:
Н. Е. Корсунская, Е. П. Шульга, Т. Р. Стара, П. М. Литвин, В. А. Бондаренко, “Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 112–119; Semiconductors, 50:1 (2016), 112–119
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6571 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p112
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 28 |
|