Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 97–102 (Mi phts6568)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Поляризованная фотолюминесценция $nc$-Si–SiO$_{x}$ наноструктур

Е. В. Михайловская, И. З. Индутный, П. Е. Шепелявый, Н. В. Сопинский

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
Аннотация: Впервые проведены исследования эффекта поляризационной памяти фотолюминесценции в $nc$-Si–SiO$_{x}$ светоизлучающих структурах, которые содержат наночастицы кремния ($nc$-Si) в матрице окисла. Исследовались поляризационные свойства сплошных и пористых наноструктур, пассивированных в парах (или растворе) HF. Установлено, что эффект поляризационной памяти проявляется лишь после обработки этих структур в HF, что сопровождается также коротковолновым сдвигом максимума фотолюминесценции и существенным повышением ее интенсивности. В анизотропных пористых $nc$-Si–SiO$_{x}$ образцах, полученных с помощью наклонного осаждения в вакууме, наблюдается также заметная ориентационная зависимость степени линейной поляризации фотолюминесценции в плоскости образца, которая коррелирует с ориентацией наноколонн SiO$_{x}$, формирующих структуру пористого слоя. Эти эффекты связываются с трансформацией наночастиц симметричной формы в асимметричные удлиненные $nc$-Si при травлении их в HF. В сплошных слоях $nc$-Si ориентированы хаотично, а в пористых структурах их преимущественная ориентация совпадает с ориентацией оксидных наноколонн.
Поступила в редакцию: 09.02.2015
Принята в печать: 03.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 97–102
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616010164
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Михайловская, И. З. Индутный, П. Е. Шепелявый, Н. В. Сопинский, “Поляризованная фотолюминесценция $nc$-Si–SiO$_{x}$ наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 97–102; Semiconductors, 50:1 (2016), 97–102
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MicIndShe16}
\by Е.~В.~Михайловская, И.~З.~Индутный, П.~Е.~Шепелявый, Н.~В.~Сопинский
\paper Поляризованная фотолюминесценция $nc$-Si--SiO$_{x}$ наноструктур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 97--102
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6568}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668041}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 97--102
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616010164}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6568
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p97
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024