|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 97–102
(Mi phts6568)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Поляризованная фотолюминесценция $nc$-Si–SiO$_{x}$ наноструктур
Е. В. Михайловская, И. З. Индутный, П. Е. Шепелявый, Н. В. Сопинский Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
Аннотация:
Впервые проведены исследования эффекта поляризационной памяти фотолюминесценции в $nc$-Si–SiO$_{x}$ светоизлучающих структурах, которые содержат наночастицы кремния ($nc$-Si) в матрице окисла. Исследовались поляризационные свойства сплошных и пористых наноструктур, пассивированных в парах (или растворе) HF. Установлено, что эффект поляризационной памяти проявляется лишь после обработки этих структур в HF, что сопровождается также коротковолновым сдвигом максимума фотолюминесценции и существенным повышением ее интенсивности. В анизотропных пористых $nc$-Si–SiO$_{x}$ образцах, полученных с помощью наклонного осаждения в вакууме, наблюдается также заметная ориентационная зависимость степени линейной поляризации фотолюминесценции в плоскости образца, которая коррелирует с ориентацией наноколонн SiO$_{x}$, формирующих структуру пористого слоя. Эти эффекты связываются с трансформацией наночастиц симметричной формы в асимметричные удлиненные $nc$-Si при травлении их в HF. В сплошных слоях $nc$-Si ориентированы хаотично, а в пористых структурах их преимущественная ориентация совпадает с ориентацией оксидных наноколонн.
Поступила в редакцию: 09.02.2015 Принята в печать: 03.04.2015
Образец цитирования:
Е. В. Михайловская, И. З. Индутный, П. Е. Шепелявый, Н. В. Сопинский, “Поляризованная фотолюминесценция $nc$-Si–SiO$_{x}$ наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 97–102; Semiconductors, 50:1 (2016), 97–102
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6568 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p97
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 13 |
|