Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 83–88 (Mi phts6566)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии

М. О. Макеев, Ю. А. Иванов, С. А. Мешков

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана
PDF полного текста (703 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Разработана методика оценки качества наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур с точки зрения их стойкости к диффузионной деструкции. Методом ИК-спектральной эллипсометрии выявлено диффузионное размытие слоев AlAs/GaAs гетероструктуры и определены коэффициенты диффузии Al и Si в GaAs.
Поступила в редакцию: 17.03.2015
Принята в печать: 03.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 83–88
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616010140
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. О. Макеев, Ю. А. Иванов, С. А. Мешков, “Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 83–88; Semiconductors, 50:1 (2016), 83–88
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MakIvaMes16}
\by М.~О.~Макеев, Ю.~А.~Иванов, С.~А.~Мешков
\paper Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 83--88
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6566}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668034}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 83--88
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616010140}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6566
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p83
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024