Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 67–82 (Mi phts6565)  
Эта публикация цитируется в 40 научных статьях (всего в 40 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов

И. В. Антоноваab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (2851 kB) Список цитирования (40)
Аннотация: Рассмотрены последние достижения в создании вертикальных гетероструктур на основе графена и монослоев других диэлектрических и полупроводниковых материалов, таких как гексагональный нитрид бора, дихалькогениды переходных металлов и др. Обсуждается значительный прогресс в данной области и огромные перспективы развития вертикальных гетероструктур для широкого спектра приложений, связанные прежде всего с пересмотром физических принципов построения и работы приборных структур с использованием графена в сочетании с другими монослойными материалами.
Поступила в редакцию: 01.04.2015
Принята в печать: 02.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 66–82
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261601005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Антонова, “Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 67–82; Semiconductors, 50:1 (2016), 66–82
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ant16}
\by И.~В.~Антонова
\paper Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 67--82
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6565}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668025}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 66--82
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261601005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6565
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p67
    • Эта публикация цитируется в следующих 40 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024