Моделирование бетавольтаического эффекта на кремниевых pin-структурах при облучении $\beta$-источником никель-63

Рассмотрены возможности бетавольтаики в качестве источников питания для полупроводниковых схем. Экспериментальные исследования показали существенную роль зарядки поверхности и снижение эдс. Проведено моделирование бетавольтаического эффекта от источника никель-63 для кремниевых pin-структур и показано, что коэффициент сбора сгенерированных носителей заряда может достигать значения 13%. Определены дозовые зависимости эффективности работы кремниевых бетавольтаических структур от $\alpha$- и $\gamma$-облучений, показано, что дозы 1.3 $\cdot$ 10$^{14}$ и 10$^{20}$ см$^{-2}$ соответственно являются пороговыми, выше которых происходит резкое снижение работоспособности. Определены оптимальные параметры микроканальных структур бетавольтаики, в которых ширина каналов и расстояние между ними соответствуют 3 и 10 мкм.