Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 9–16 (Mi phts6555)  
Обзоры

Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий

В. И. Козловскийab, В. С. Кривобокab, П. И. Кузнецовc, С. Н. Николаевa, Е. Е. Онищенкоa, А. А. Пручкинаa, А. Г. Темирязевc, С. И. Ченцовa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (783 kB)
Аннотация: Предложена технология создания полностью гибридных микрорезонаторов на основе пленок Zn(S)Se и аморфных диэлектрических покрытий SiO$_{2}$/Ta$_{2}$O$_{5}$. Продемонстрировано влияние всех ступеней технологического цикла на структуру экситонных состояний в пленках Zn(S)Se. Данное влияние сводится к четырем основным эффектам: появление тонкой структуры у линий излучения свободных экситонов; уменьшение относительного вклада в спектр излучения экситонов, связанных на нейтральных акцепторах; низкочастотный сдвиг линий излучения экситонно-примесных комплексов и свободных экситонов; уменьшение расщепления между линиями излучения легких и тяжелых экситонов. Созданы образцы полностью гибридных микрорезонаторов, в которых удается сохранить высокое структурное и оптическое качество пленок Zn(S)Se.
Поступила в редакцию: 14.04.2015
Принята в печать: 20.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 8–15
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616010115
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Козловский, В. С. Кривобок, П. И. Кузнецов, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, А. А. Пручкина, А. Г. Темирязев, С. И. Ченцов, “Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 9–16; Semiconductors, 50:1 (2016), 8–15
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozKriKuz16}
\by В.~И.~Козловский, В.~С.~Кривобок, П.~И.~Кузнецов, С.~Н.~Николаев, Е.~Е.~Онищенко, А.~А.~Пручкина, А.~Г.~Темирязев, С.~И.~Ченцов
\paper Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 9--16
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6555}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25667990}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 8--15
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616010115}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6555
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p9
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024