Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 218–222 (Mi phts6541)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Углеродные системы

Влияние поперечного электрического поля на продольную вольт-амперную характеристику графеновой сверхрешетки

С. В. Крючковab, Е. И. Кухарьb

a Волгоградский государственный социально-педагогический университет (лаборатория физики низкоразмерных систем)
b Волгоградский государственный технический университет
PDF полного текста (137 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Вычислена плотность тока, возникающего вдоль оси графеновой сверхрешетки в присутствии переменного и постоянного электрических полей. Предполагается, что вектор напряженности постоянного поля имеет как поперечную, так и продольную по отношению к оси сверхрешетки составляющие. Показано, что постоянная составляющая плотности тока испытывает осцилляции с изменением амплитуды переменного электрического поля. Продольная вольт-амперная характеристика графеновой сверхрешетки содержит участок отрицательной дифференциальной проводимости. С ростом поперечной составляющей напряженности электрического поля максимум продольной вольт-амперной характеристики сдвигается в сторону больших значений продольной составляющей постоянного поля.
Поступила в редакцию: 19.05.2015
Принята в печать: 08.06.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 217–221
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616020147
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Крючков, Е. И. Кухарь, “Влияние поперечного электрического поля на продольную вольт-амперную характеристику графеновой сверхрешетки”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 218–222; Semiconductors, 50:2 (2016), 217–221
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KryKuk16}
\by С.~В.~Крючков, Е.~И.~Кухарь
\paper Влияние поперечного электрического поля на продольную вольт-амперную характеристику графеновой сверхрешетки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 218--222
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6541}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668101}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 217--221
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616020147}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6541
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p218
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:24
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024