Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 180–184 (Mi phts6534)  

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Электрофизические и оптические свойства оксидных нанослоев, полученных термическим окислением металлического олова

С. В. Рябцев, О. А. Чувенкова, С. В. Канныкин, А. Е. Попов, Н. С. Рябцева, С. С. Воищев, С. Ю. Турищев, Э. П. Домашевская

Воронежский государственный университет
Аннотация: Тонкие слои SnO$_{2-x}$ толщиной 30 нм были изготовлены методом термического окисления нанослоев металлического олова при температуре 450 – 750$^\circ$C. Изучены их электрофизические и оптические свойства. В процессе термического окисления нанослоев олова обнаружено немонотонное изменение их электропроводности. Для оксидных пленок, полученных при 450 и 550$^\circ$C, в оптических спектрах обнаружена полоса поглощения при 340 нм (3.65 эВ). Определена энергия активации электропроводности образцов с различной степенью окисления. На основании полученных экспериментальных и литературных данных предложен механизм окисления нанослоев олова, определяющий их свойства.
Поступила в редакцию: 04.06.2015
Принята в печать: 24.06.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 180–184
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616020214
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Рябцев, О. А. Чувенкова, С. В. Канныкин, А. Е. Попов, Н. С. Рябцева, С. С. Воищев, С. Ю. Турищев, Э. П. Домашевская, “Электрофизические и оптические свойства оксидных нанослоев, полученных термическим окислением металлического олова”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 180–184; Semiconductors, 50:2 (2016), 180–184
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RyaChuKan16}
\by С.~В.~Рябцев, О.~А.~Чувенкова, С.~В.~Канныкин, А.~Е.~Попов, Н.~С.~Рябцева, С.~С.~Воищев, С.~Ю.~Турищев, Э.~П.~Домашевская
\paper Электрофизические и оптические свойства оксидных нанослоев, полученных термическим окислением металлического олова
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 180--184
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6534}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668081}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 180--184
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616020214}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6534
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p180
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024