Исследование поверхности GaAs после травления в плазме высокочастотного и тлеющего разрядов методом атомно-силовой микроскопии

Проведено исследование качества поверхности полупроводниковой структуры после плазмохимического травления в плазме смесей HCl/Ar, HCl/Cl$_{2}$, HCl/H$_{2}$ и плазме фреона R12. Показано, что оптимальное сочетание скорости травления и шероховатости поверхности достигается в смеси хлористого водорода с аргоном. В смесях с водородом скорости травления слишком малы при хорошем качестве поверхности, а в смесях с хлором из-за больших скоростей травления шероховатость поверхности превышает допустимые в технологии значения. Высокочастотный разряд в фреоне R12 можно эффективно использовать для травления полупроводников, обеспечивая технологически приемлемые скорости взаимодействия, при этом сохраняя равномерную и чистую поверхность.