Поверхностный фотогальванический эффект в многодолинном полупроводнике во внешнем магнитном поле

Построена теория фотогальванического эффекта в полубесконечном многодолинном полупроводнике, возникающего при поглощении поляризованного света на свободных носителях, вызываемого при зеркальном и диффузном рассеяниях электронов на поверхности пленки. Использован метод кинетического уравнения Больцмана в приближении времени релаксации и граничных условий, определяющих связь между функцией распределения отраженных от поверхности полубесконечного кристалла электронов и функцией распределения электронов, падающих на поверхность как при зеркальном, так и при диффузном рассеянии, где учтено, что функция распределения диффузно рассеянных от поверхности электронов зависит только от их энергии и определяется из условия обращения в нуль полного потока электронов на поверхности. Получены соотношения, с помощью которых можно анализировать спектральную зависимость тока, линейно зависящего от напряженности магнитного поля.