Фотолюминесцентные свойства таллийсодержащих стеклообразных полупроводников GeSe$_{2}$, GeSe$_{3}$

Исследованы фотолюминесцентные свойства таллийсодержащих стеклообразных полупроводниковых систем стехио- и нестехиометрического составов (GeSe$_{2}$)$_{1-x}$Tl$_{x}$ и (GeSe$_{3}$)$_{1-x}$Tl$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.1) при температуре $T$ = 77 K. За спектры фотолюминесценции гауссовой формы ответственны собственные дефекты с отрицательной корреляционной энергией. Установлено, что рост $x$ в системах не изменяет форму спектра, новых полос излучения не генерирует, смещает спектры фотолюминесценции в область меньших энергий, уменьшает интенсивность излучения, увеличивает его полуширину. Кинетика усталости фотолюминесценции различна для обеих систем и характеризуется одной кривой, независимо от содержания Tl в системах.