Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 154–157 (Mi phts6529)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$

И. В. Боднарь, И. А. Викторов, М. А. Жафар, С. А. Павлюковец

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация: На монокристаллах тройных соединений CuIn$_{5}$S$_{8}$, FeIn$_{2}$S$_{4}$ и твердых растворах (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$, выращенных направленной кристаллизацией расплава, исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения. По зарегистрированным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и их твердых растворов, а также построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с $x$ изменяется нелинейно (с максимумом для среднего состава) и описывается квадратичной зависимостью.
Поступила в редакцию: 09.06.2015
Принята в печать: 01.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 154–157
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616020068
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, И. А. Викторов, М. А. Жафар, С. А. Павлюковец, “Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 154–157; Semiconductors, 50:2 (2016), 154–157
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonVikZha16}
\by И.~В.~Боднарь, И.~А.~Викторов, М.~А.~Жафар, С.~А.~Павлюковец
\paper Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 154--157
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6529}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668068}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 154--157
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616020068}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6529
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p154
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024