|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 154–157
(Mi phts6529)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$
И. В. Боднарь, И. А. Викторов, М. А. Жафар, С. А. Павлюковец Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация:
На монокристаллах тройных соединений CuIn$_{5}$S$_{8}$, FeIn$_{2}$S$_{4}$ и твердых растворах (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$, выращенных направленной кристаллизацией расплава, исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения. По зарегистрированным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и их твердых растворов, а также построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с $x$ изменяется нелинейно (с максимумом для среднего состава) и описывается квадратичной зависимостью.
Поступила в редакцию: 09.06.2015 Принята в печать: 01.07.2015
Образец цитирования:
И. В. Боднарь, И. А. Викторов, М. А. Жафар, С. А. Павлюковец, “Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 154–157; Semiconductors, 50:2 (2016), 154–157
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6529 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p154
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 27 |
|