К теории двухфотонного линейного фотогальванического эффекта в $n$-GaP

Построена количественная теория диагонального (баллистического) и недиагонального (сдвигового) по индексам зон вкладов в двухквантовый ток линейного фотогальванического эффекта в полупроводнике со сложной зоной, обусловленный асимметрией актов рассеяния электронов на фононах и фотонах. Показано, что процессы, обусловленные одновременным поглощением двух фотонов, не дают вклады в баллистический фототок в $n$-GaP. Это связано с тем, что при этом не возникает асимметричное распределение по импульсу возбужденных фотонами электронов, оно возникает при последовательном поглощении двух фотонов с участием $LO$-фононов. Указано, что температурная зависимость сдвигового вклада в двухфотонный фототок в $n$-GaP будет определяться температурной зависимостью коэффициента поглощения света, обусловленного прямыми оптическими переходами электронов между подзонами $X_{1}$ и $X_{3}$. Указано, что в спектральной зависимости фототока наблюдается особенность в области частот света $\omega\to\Delta/2\hbar$, связанная с горбообразностью подзоны $X_{1}$ $n$-GaP$^{1}$ и корневой особенностью плотности состояния, определяемая как $k^{-1}_{\omega}=(2\hbar\omega-\Delta)^{-1/2}$, где $\Delta$ – энергетическая щель между подзонами $X_{1}$ и $X_{3}$. Получены спектральная и температурная зависимости коэффициента поглощения линейно поляризованного излучения $n$-GaP с учетом “горба” нижней подзоны зоны проводимости.