Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 398–407 (Mi phts6523)  
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Переключение силовых тиристоров импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом

А. И. Гусевab, С. К. Любутинa, С. Н. Рукинa, С. Н. Цырановab

a Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет
PDF полного текста (235 kB) Список цитирования (15)
Аннотация: Исследован процесс переключения силовых тиристоров из блокирующего в проводящее состояние импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах использовались низкочастотные тиристоры таблеточной конструкции с рабочим напряжением 2 кВ. На основные электроды тиристора подавался внешний импульс, обеспечивающий скорость нарастания напряжения в диапазоне 0.5–6 кВ/нс. В этих условиях время перехода тиристора в проводящее состояние находилось в диапазоне 200–400 пс. Найдены эмпирические соотношения, связывающие основные характеристики процесса переключения: напряжение включения, время нарастания импульса до переключения и время перехода в проводящее состояние. Численное моделирование показало, что для объяснения полученных результатов необходим учет процесса ионизации глубоких технологических дефектов.
Поступила в редакцию: 08.09.2015
Принята в печать: 09.09.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 394–403
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030106
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Гусев, С. К. Любутин, С. Н. Рукин, С. Н. Цыранов, “Переключение силовых тиристоров импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 398–407; Semiconductors, 50:3 (2016), 394–403
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GusLyuRuk16}
\by А.~И.~Гусев, С.~К.~Любутин, С.~Н.~Рукин, С.~Н.~Цыранов
\paper Переключение силовых тиристоров импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 398--407
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6523}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668205}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 394--403
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030106}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6523
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p398
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:65
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024