Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 388–392 (Mi phts6521)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Model development for current–voltage and transconductance characteristics of normally-off AlN/GaN MOSHEMT

R. Swain, K. Jena, T. R. Lenka

Microelectronics & VLSI Group, Department of Electronics & Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Assam, India
Аннотация: In this paper, an AlN/GaN-based MOSHEMT is proposed, in accordance to this, a charge control model has been developed analytically and simulated with MATLAB to predict the characteristics of threshold voltage, drain currents and transconductance. The physics based models for 2DEG density, threshold voltage and quantum capacitance in the channel has been put forward. By using these developed models, the drain current for both linear and saturation models is derived. The predicted threshold voltage with the variation of barrier thickness has been plotted. A positive threshold voltage can be obtained by decreasing the barrier thickness which builds up the foundation for enhancement mode MOSHEMT devices. The predicted $I_{d}-V_{gs}$, $I_{d}-V_{ds}$ and transconductance characteristics show an excellent agreement with the experimental results and hence validate the model.
Ключевые слова: Threshold Voltage, Drain Current, Versus Versus Versus Versus, Barrier Thickness, Quantum Capacitance.
Поступила в редакцию: 12.03.2015
Принята в печать: 08.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 384–389
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030210
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: R. Swain, K. Jena, T. R. Lenka, “Model development for current–voltage and transconductance characteristics of normally-off AlN/GaN MOSHEMT”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 388–392; Semiconductors, 50:3 (2016), 384–389
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SwaJenLen16}
\by R.~Swain, K.~Jena, T.~R.~Lenka
\paper Model development for current--voltage and transconductance characteristics of normally-off AlN/GaN MOSHEMT
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 388--392
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6521}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668197}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 384--389
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030210}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6521
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p388
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024