|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 344–349
(Mi phts6514)
|
|
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Послойный анализ методом спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов распределения диоксида кремния по толщине в структуре SiO$_{2}$/Si(111)
А. С. Паршинa, С. А. Кущенковa, О. П. Пчеляковb, Ю. Л. Михлинc a Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Институт химии и химической технологии СО РАН, г. Красноярск
Аннотация:
Из экспериментальных спектров сечения неупругого рассеяния отраженных электронов в диапазоне энергий первичных электронов от 300 до 3000 эВ определен профиль концентрации SiO$_{2}$ в структуре SiO$_{2}$/Si(111). Анализ спектров проведен с использованием предложенного алгоритма и разработанной программы компьютерного моделирования спектров сечения неупругого рассеяния отраженных электронов для слоистых структур с произвольным количеством слоев, произвольной толщины и переменной концентрацией компонентов в каждом слое. Варьированием концентраций диоксида кремния и кремния в каждом слое достигалось наилучшее согласие между расчетными и экспериментальными спектрами. Результаты могут быть использованы для профилирования структур пленка-подложка с произвольным составом компонентов.
Поступила в редакцию: 15.07.2015 Принята в печать: 09.09.2015
Образец цитирования:
А. С. Паршин, С. А. Кущенков, О. П. Пчеляков, Ю. Л. Михлин, “Послойный анализ методом спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов распределения диоксида кремния по толщине в структуре SiO$_{2}$/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 344–349; Semiconductors, 50:3 (2016), 339–344
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6514 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p344
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 10 |
|