Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 318–323 (Mi phts6510)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов

Р. М. Пелещакa, И. И. Лазурчакa, О. В. Кузыкa, О. О. Данькивa, Г. Г. Зегряb

a Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (200 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Исследована роль акустоэлектронных эффектов в формировании наноразмерных структур адатомов, происходящих в результате самосогласованного взаимодействия адатомов с поверхностной акустической волной и электронной подсистемой, для случая заряженных и незаряженных адсорбированных атомов. Показано, что при фиксированном значении средней концентрации адатомов увеличение степени легирования полупроводника донорными примесями приводит к увеличению критической температуры, ниже которой происходят процессы самоорганизации.
Поступила в редакцию: 29.07.2015
Принята в печать: 07.08.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 314–319
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030180
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. М. Пелещак, И. И. Лазурчак, О. В. Кузык, О. О. Данькив, Г. Г. Зегря, “Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 318–323; Semiconductors, 50:3 (2016), 314–319
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PelLazKuz16}
\by Р.~М.~Пелещак, И.~И.~Лазурчак, О.~В.~Кузык, О.~О.~Данькив, Г.~Г.~Зегря
\paper Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 318--323
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6510}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668163}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 314--319
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030180}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6510
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p318
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024