|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 318–323
(Mi phts6510)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов
Р. М. Пелещакa, И. И. Лазурчакa, О. В. Кузыкa, О. О. Данькивa, Г. Г. Зегряb a Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследована роль акустоэлектронных эффектов в формировании наноразмерных структур адатомов, происходящих в результате самосогласованного взаимодействия адатомов с поверхностной акустической волной и электронной подсистемой, для случая заряженных и незаряженных адсорбированных атомов. Показано, что при фиксированном значении средней концентрации адатомов увеличение степени легирования полупроводника донорными примесями приводит к увеличению критической температуры, ниже которой происходят процессы самоорганизации.
Поступила в редакцию: 29.07.2015 Принята в печать: 07.08.2015
Образец цитирования:
Р. М. Пелещак, И. И. Лазурчак, О. В. Кузык, О. О. Данькив, Г. Г. Зегря, “Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 318–323; Semiconductors, 50:3 (2016), 314–319
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6510 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p318
|
|