|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 313–317
(Mi phts6509)
|
|
|
|
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs и In$_{2}$Te$_{3}$/InAs
Э. П. Домашевскаяa, Е. А. Михайлюкb, Т. В. Прокоповаc, Н. Н. Безрядинa a Воронежский государственный университет
b Старооскольский технологический институт им. А.А. Угарова (филиал) Национального исследовательского технологического университета МИСиС, Старый Оскол, Россия
c Военно-воздушная академия им. профессора Н. Е. Жуковского и Ю. А. Гагарина, г. Воронеж
Аннотация:
Методами адмиттанса, вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик изучены гетероструктуры In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs и In$_{2}$Te$_{3}$/InAs, полученные технологиями квазизамкнутого объема и напыления. Установлен спектр распределения локальных энергетических уровней на границе раздела. Методом адмиттанса обнаружен новый акцепторный центр с энергией 0.36 эВ наряду с известным донором с энергией 0.5 эВ. Концентрация акцепторных центров $N_{t}$ зависит от способа получения и технологических режимов. Кинетика генерационно-рекомбинационных процессов в интервале температур 70–400 K не влияет на изолирующие свойства диэлектрического слоя In$_{2}$Te$_{3}$ или In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$ ($x\approx$ 0.65), поэтому показана возможность использования их в качестве гетероструктур полевых транзисторов.
Поступила в редакцию: 09.07.2015 Принята в печать: 16.07.2015
Образец цитирования:
Э. П. Домашевская, Е. А. Михайлюк, Т. В. Прокопова, Н. Н. Безрядин, “Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs и In$_{2}$Te$_{3}$/InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 313–317; Semiconductors, 50:3 (2016), 309–313
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6509 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p313
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 22 | PDF полного текста: | 5 |
|