Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs и In$_{2}$Te$_{3}$/InAs

Методами адмиттанса, вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик изучены гетероструктуры In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs и In$_{2}$Te$_{3}$/InAs, полученные технологиями квазизамкнутого объема и напыления. Установлен спектр распределения локальных энергетических уровней на границе раздела. Методом адмиттанса обнаружен новый акцепторный центр с энергией 0.36 эВ наряду с известным донором с энергией 0.5 эВ. Концентрация акцепторных центров $N_{t}$ зависит от способа получения и технологических режимов. Кинетика генерационно-рекомбинационных процессов в интервале температур 70–400 K не влияет на изолирующие свойства диэлектрического слоя In$_{2}$Te$_{3}$ или In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$ ($x\approx$ 0.65), поэтому показана возможность использования их в качестве гетероструктур полевых транзисторов.