Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 298–301 (Mi phts6507)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Влияние фононного увлечения на термоэдс в параболической квантовой яме

Х. А. Гасановa, Д. И. Гусейновa, В. В. Дадашоваb, Ф. Ф. Алиевc

a Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
b Бакинский государственный университет
c Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
PDF полного текста (125 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Развита теория термоэдс увлечения, возникающая при наличии градиента температуры в плоскости слоя двумерного электронного газа в параболической квантовой яме. Рассматриваются механизмы взаимодействия электронов c акустическими фононами, с учетом экранирования потенциала взаимодействия. Установлено, что существенный вклад в термоэдс двумерного электронного газа дает эффект увлечения электронов фононами. Показано, что учет экранирования значительно влияет на величину термоэдс увлечения. Для температурной зависимости термоэдс в параболической квантовой яме GaAs/AlGaAs в интервале температур 1–10 K установлено хорошее согласие полученных теоретических результатов с экспериментом.
Поступила в редакцию: 09.07.2015
Принята в печать: 23.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 295–298
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261603009X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Х. А. Гасанов, Д. И. Гусейнов, В. В. Дадашова, Ф. Ф. Алиев, “Влияние фононного увлечения на термоэдс в параболической квантовой яме”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 298–301; Semiconductors, 50:3 (2016), 295–298
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{HasHusDad16}
\by Х.~А.~Гасанов, Д.~И.~Гусейнов, В.~В.~Дадашова, Ф.~Ф.~Алиев
\paper Влияние фононного увлечения на термоэдс в параболической квантовой яме
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 298--301
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6507}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668147}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 295--298
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261603009X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6507
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p298
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024