Об измерениях коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в 4$H$-SiC

Проведен анализ всех опубликованных результатов измерений коэффициентов ударной ионизации электронов $\alpha_{n}$ и дырок $\alpha_{p}$ в 4$H$-SiC при 300 K. Показано, что наиболее правдоподобные аппроксимации зависимостей $\alpha_{n,p}$ от напряженности электрического поля $E$ имеют обычный вид $\alpha_{n,p}=a_{n,p}\exp(-E_{n,p}/E)$ при значениях подгоночных параметров $a_{n}$ = 38.6 $\cdot$ 10$^{6}$ см$^{-1}$, $E_{n}$ = 25.6 МВ/см, $a_{p}$=5.31 $\cdot$ 10$^{6}$ см$^{-1}$, $E_{p}$ = 13.1 МВ/см. Эти зависимости $\alpha_{n,p}(E)$ использованы для расчета максимальной напряженности поля $E_{b}$ и толщины области пространственного заряда $w_{b}$ при напряжении пробоя $U_{b}$. Получен ряд новых формул для вычисления $\alpha_{n,p}(E)$ из результатов измерения коэффициентов лавинного умножения и факторов избыточного шума при одностороннем освещении фотодиодов со ступенчатым легированием.