Создание карбидкремнийоксидных нанослоев на поверхности поликристаллического алмаза для использования их в качестве буферов при эпитаксии нитрида галлия

Представлены результаты использования карбидкремнийоксидных ($a$-C : SiO$_{1.5}$) пленок толщиной 30–60 нм, полученных пиролизным отжигом олигометилсилсесквиоксана (СН$_{3}$–SiO$_{1.5}$)$_{n}$ циклолинейной (лестничной) молекулярной структуры, в качестве промежуточных слоев для хлоридно-гидридной эпитаксии нитрида галлия на подложках поликристаллического CVD-алмаза. При пиролизном отжиге (СН$_{3}$–SiO$_{1.5}$)$_{n}$ в атмосфере азота при 1060$^\circ$C происходит карбонизация метильных радикалов с образованием химически связанных с кремнием атомов углерода, которые за счет ковалентной связи с кремнием образуют монослой (SiC) на поверхности $a$-C : SiO$_{1.5}$ пленок. Показан рост островков GaN на таком промежуточном слое на подложках СVD-полиалмаза в процессе хлоридно-гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе из газовой смеси GaCl–NH$_{3}$–N$_{2}$.