|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 515–524
(Mi phts6495)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Количественный анализ оптических и рекомбинационных потерь в тонкопленочных солнечных элементах на основе Cu(In,Ga)Se$_{2}$
Л. А. Косяченко, В. Я. Литвиненко, Е. Л. Маслянчук Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
Аннотация:
Проведен теоретический анализ оптических и рекомбинационных потерь в тонкопленочном солнечном элементе на основе Cu(In,Ga)Se$_{2}$ с шириной запрещенной зоны 1.36–1.38 эВ. Определено оптическое пропускание слоев ZnO и CdS, через которые излучение вводится в поглощающий слой. Исходя из оптических констант найдены оптические потери, обусловленные отражением на границах раздела (7.5%) и поглощением в слоях ZnO и CdS (10.2%). Для расчета рекомбинационных потерь рассмотрено спектральное распределение квантовой эффективности гетероструктуры CdS/CuIn$_{1-x}$Ga$_{x}$Se$_{2}$. Показано, что с учетом дрейфовой и диффузионной компонент, рекомбинации на передней и задней поверхностях поглотителя можно в деталях аналитически описать спектры квантовой эффективности исследуемого солнечного элемента. Из сопоставления результатов расчета с экспериментом определены реальные параметры солнечного элемента. Определены также потери, обусловленные рекомбинацией фотогенерированных носителей заряда на фронтальной и тыльной поверхностях поглощающего слоя (1.8% и $<$ 0.1% соответственно), в его нейтральной части (7.6%) и в области пространственного заряда $p$–$n$-гетероперехода (1.0%). Предложена коррекция параметров Cu(In,Ga)Se$_{2}$, повышающая эффективность собирания заряда.
Поступила в редакцию: 29.07.2015 Принята в печать: 30.07.2015
Образец цитирования:
Л. А. Косяченко, В. Я. Литвиненко, Е. Л. Маслянчук, “Количественный анализ оптических и рекомбинационных потерь в тонкопленочных солнечных элементах на основе Cu(In,Ga)Se$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 515–524; Semiconductors, 50:4 (2016), 508–516
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6495 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p515
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 51 | PDF полного текста: | 10 |
|