Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 509–514 (Mi phts6494)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Углеродные системы

Прогнозирование стабильности и электронных свойств углеродных наноторов, синтезируемых при высоковольтном импульсном разряде в парах этанола

О. Е. Глуховаa, В. А. Кондрашовb, В. К. Неволинb, И. И. Бобринецкийb, Г. В. Савостьяновa, М. М. Слепченковa

a Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
Аннотация: Предложена экспериментальная методика повышения выхода наноторов из углеродных нанотрубок при модифицированном методе дугового синтеза. Впервые теоретически установлены новые физические знания о закономерностях взаимосвязи свойств наноторов с топологией атомной сетки. Экспериментальные исследования проведены на основе новой технологии синтезирования наноторов на частицах никелевого катализатора при высоковольтном импульсном разряде в парах этанола и с использованием метода атомно-силовой микроскопии. Прогнозирование стабильности осуществлялось с помощью оригинальной методики расчета локальных атомных напряжений. В результате моделирования выявлено, что наиболее стабильной топологии наноторов соответствует тип киральности zigzag. С помощью метода сильной связи установлено, что в зависимости от типа киральности наноторы разделяются на два класса – с металлической и полупроводниковой проводимостью.
Поступила в редакцию: 10.03.2015
Принята в печать: 06.10.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 4, Pages 502–507
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616040114
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Е. Глухова, В. А. Кондрашов, В. К. Неволин, И. И. Бобринецкий, Г. В. Савостьянов, М. М. Слепченков, “Прогнозирование стабильности и электронных свойств углеродных наноторов, синтезируемых при высоковольтном импульсном разряде в парах этанола”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 509–514; Semiconductors, 50:4 (2016), 502–507
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GluKonNev16}
\by О.~Е.~Глухова, В.~А.~Кондрашов, В.~К.~Неволин, И.~И.~Бобринецкий, Г.~В.~Савостьянов, М.~М.~Слепченков
\paper Прогнозирование стабильности и электронных свойств углеродных наноторов, синтезируемых при высоковольтном импульсном разряде в парах этанола
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 4
\pages 509--514
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6494}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668268}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 4
\pages 502--507
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616040114}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6494
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p509
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024