|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 470–473
(Mi phts6488)
|
|
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Ударная ионизация в неоднородно разогретых кремниевых $p^{+}$–$n$–$n^{+}$- и $n^{+}$–$p$–$p^{+}$-структурах
А. М. Мусаев Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
Аннотация:
Приведены результаты экспериментального исследования, эффектов изменения тока ударной ионизации в кремниевых диффузионных $p^{+}$–$n$–$n^{+}$- и $n^{+}$–$p$–$p^{+}$-структурах при неоднородном их разогреве. Показано, что обнаруженные эффекты связаны с трансформацией зонных энергетических уровней, которые обусловлены термоупругими напряжениями структур.
Поступила в редакцию: 06.04.2015 Принята в печать: 21.09.2015
Образец цитирования:
А. М. Мусаев, “Ударная ионизация в неоднородно разогретых кремниевых $p^{+}$–$n$–$n^{+}$- и $n^{+}$–$p$–$p^{+}$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 470–473; Semiconductors, 50:4 (2016), 462–465
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6488 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p470
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 18 |
|