|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 457–460
(Mi phts6485)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Особенности фотоиндуцированного магнетизма в некоторых монокристаллах иттрий-железистого граната
Н. В. Воробьеваa, В. Б. Митюхляевb a Башкирский государственный педагогический университет им. М. Акмуллы, г. Уфа
b Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, г Москва
Аннотация:
Рассмотрены фотоиндуцированные магнитные явления в монокристаллических иттрий-железистых гранатах, выращенных из раствора в расплаве BaO–B$_{2}$O$_{3}$ с добавлением иридия в исходный расплав. Определены особенности состава и дефектов кристаллического строения образцов в приповерхностном слое. В свете этого предложены объяснения для особенностей фотоиндуцированных магнитных явлений в исследованных кристаллах. Подчеркнута определяющая роль анионов кислорода для фотоиндуцированных магнитных явлений при комнатной температуре, рассмотрена возможная роль вариации количества и состава допанта.
Поступила в редакцию: 17.09.2015 Принята в печать: 06.10.2015
Образец цитирования:
Н. В. Воробьева, В. Б. Митюхляев, “Особенности фотоиндуцированного магнетизма в некоторых монокристаллах иттрий-железистого граната”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 457–460; Semiconductors, 50:4 (2016), 449–452
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6485 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p457
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 24 | PDF полного текста: | 7 |
|