Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 438–440 (Mi phts6481)  
Электронные свойства полупроводников

Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах A$^{\mathrm{III}}$N

С. И. Борисенко

Национальный исследовательский Томский политехнический университет
PDF полного текста (122 kB)
Аннотация: Методом прогонки проведен расчет зависимости эффективного времени релаксации от концентрации электронов в нитридах A$^{\mathrm{III}}$N при рассеянии на продольных полярных оптических фононах. Метод учитывает неупругость рассеяния электронов на полярных оптических фононах для нитридов в сфалеритном приближении. Расчеты показали существенное увеличение подвижности в образцах с вырожденным электронным газом при учете экранировки дальнодействующего потенциала продольных полярных оптических фононов.
Поступила в редакцию: 31.03.2015
Принята в печать: 21.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 4, Pages 432–434
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616040084
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. И. Борисенко, “Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах A$^{\mathrm{III}}$N”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 438–440; Semiconductors, 50:4 (2016), 432–434
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bor16}
\by С.~И.~Борисенко
\paper Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах A$^{\mathrm{III}}$N
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 4
\pages 438--440
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6481}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668229}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 4
\pages 432--434
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616040084}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6481
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p438
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024