|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 438–440
(Mi phts6481)
|
|
|
|
Электронные свойства полупроводников
Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах A$^{\mathrm{III}}$N
С. И. Борисенко Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Аннотация:
Методом прогонки проведен расчет зависимости эффективного времени релаксации от концентрации электронов в нитридах A$^{\mathrm{III}}$N при рассеянии на продольных полярных оптических фононах. Метод учитывает неупругость рассеяния электронов на полярных оптических фононах для нитридов в сфалеритном приближении. Расчеты показали существенное увеличение подвижности в образцах с вырожденным электронным газом при учете экранировки дальнодействующего потенциала продольных полярных оптических фононов.
Поступила в редакцию: 31.03.2015 Принята в печать: 21.07.2015
Образец цитирования:
С. И. Борисенко, “Зависимость подвижности от концентрации электронов при рассеянии на полярных оптических фононах в нитридах A$^{\mathrm{III}}$N”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 438–440; Semiconductors, 50:4 (2016), 432–434
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6481 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p438
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 17 |
|