|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 706–710
(Mi phts6477)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния
И. В. Гук, Г. Д. Шандыбина, Е. Б. Яковлев Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Представлены к обсуждению результаты количественной оценки эффекта накопления тепла при фемтосекундной лазерной структуризации поверхности кремния. В расчетах применен численно-аналитический метод, в рамках которого динамика электронных процессов и нагрев решетки моделируются численным методом, а стадия остывания описывается на основе аналитического решения. Исследовано влияние многоимпульсного облучения на изменение температуры поверхности: в электронной подсистеме — зависимости коэффициента поглощения от концентрации возбужденных носителей и зависимости поглощательной способности от температуры электронного газа; в решеточной подсистеме – изменение от импульса к импульсу поглощательной способности. Показано, что в низкочастотном режиме следования импульсов, характерном для фемтосекундной микроструктуризации кремния, эффект накопления тепла определяется не остаточной температурой поверхности к приходу следующего импульса, что соответствует традиционным представлениям, а ростом от импульса к импульсу максимального значения температуры, с которой начинается остывание. Накопление остаточной температуры поверхности может сказаться на процессе микроструктурирования при облучении вблизи порога испарения либо при увеличении частоты следования импульсов.
Поступила в редакцию: 26.11.2014 Принята в печать: 21.10.2015
Образец цитирования:
И. В. Гук, Г. Д. Шандыбина, Е. Б. Яковлев, “Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 706–710; Semiconductors, 50:5 (2016), 694–698
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6477 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p706
|
|