Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 706–710 (Mi phts6477)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния

И. В. Гук, Г. Д. Шандыбина, Е. Б. Яковлев

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация: Представлены к обсуждению результаты количественной оценки эффекта накопления тепла при фемтосекундной лазерной структуризации поверхности кремния. В расчетах применен численно-аналитический метод, в рамках которого динамика электронных процессов и нагрев решетки моделируются численным методом, а стадия остывания описывается на основе аналитического решения. Исследовано влияние многоимпульсного облучения на изменение температуры поверхности: в электронной подсистеме — зависимости коэффициента поглощения от концентрации возбужденных носителей и зависимости поглощательной способности от температуры электронного газа; в решеточной подсистеме – изменение от импульса к импульсу поглощательной способности. Показано, что в низкочастотном режиме следования импульсов, характерном для фемтосекундной микроструктуризации кремния, эффект накопления тепла определяется не остаточной температурой поверхности к приходу следующего импульса, что соответствует традиционным представлениям, а ростом от импульса к импульсу максимального значения температуры, с которой начинается остывание. Накопление остаточной температуры поверхности может сказаться на процессе микроструктурирования при облучении вблизи порога испарения либо при увеличении частоты следования импульсов.
Поступила в редакцию: 26.11.2014
Принята в печать: 21.10.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 694–698
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616050080
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Гук, Г. Д. Шандыбина, Е. Б. Яковлев, “Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 706–710; Semiconductors, 50:5 (2016), 694–698
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GukShaYak16}
\by И.~В.~Гук, Г.~Д.~Шандыбина, Е.~Б.~Яковлев
\paper Роль эффекта накопления тепла в многоимпульсных режимах лазерной фемтосекундной структуризации кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 706--710
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6477}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368899}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 694--698
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616050080}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6477
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p706
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024