Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs

Методом парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках GaAs выращены напряженные эпитаксильные слои ZnSe. Обнаружено, что на поверхности таких слоев формируются наноостровки Se плотностью от 10$^{8}$ до 10$^{9}$ см$^{-2}$. Установлено, что после завершения роста происходит увеличение размера островков Se и уменьшение их плотности. Отжиг в атмосфере H$_{2}$ при температуре выше 260$^\circ$C приводит к исчезновению островка Se и уменьшению шероховатости поверхности. Показано, что отжиг не ведет к ухудшению структурного совершенства эпитаксиальных пленок ZnSe, при этом способствуя уменьшению интенсивности примесно-дефектной люминесценции и увеличению интенсивности собственного излучения вблизи дна экситонной зоны.