Радиационно-стимулированные процессы в транзисторных термосенсорах

Рассмотрены особенности радиационно-стимулированных изменений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик перехода эмиттер–база в транзисторах типа KT3117. Показано, что на начальной стадии облучения (при дозах $D<$ 4000 Гр для “пассивного” режима облучения и $D<$ 5200 Гр для “активного”) наблюдается увеличение тока через эмиттерный переход, что обусловлено эффектом радиационно-стимулированного упорядочения дефектной структуры $p$–$n$-перехода. Также показано, что рентгеновское облучение ($D<$ 14 000 Гр) и последующие временная релаксация (96 ч) и термический отжиг (2 ч при 400 K) исследуемых транзисторных термосенсоров приводят к повышению их радиационной стойкости.