Зарядоперенос в выпрямляющих оксидных гетероструктурах и оксидные элементы доступа ReRAM

Обсуждаются основные аспекты синтеза и экспериментального исследования диодных оксидных гетероструктур в плане их использования в качестве селекторных диодов – элементов доступа в оксидной резистивной памяти. Показано, что зарядоперенос в данных материалах существенно отличается от механизма проводимости в $p$–$n$-переходах на основе традиционных полупроводников (Si, Ge, A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$), а модель должна учитывать электронные свойства оксидов, главным образом низкую дрейфовую подвижность носителей заряда. Установлено, что увеличение прямого тока требует наличия в составе гетероструктур оксида с малой шириной запрещенной зоны ($<$ 1.3 эВ). Исследованы гетероструктуры с оксидами Zn, In–Zn (IZO), Ti, Ni и Cu, среди которых гетеропереход CuO–IZO имеет наибольшую плотность прямого тока (10$^{4}$ А/см$^{2}$).